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电子元器件可靠性测试标准

需要做可靠性检测的产品种类有很多,各企业根据需求不同,会有不同的检测需求,那么电子元器件大都数情况下,都有哪些可靠性检测标准与项目有哪些?让我们来了解一下。


根据试验等级分为如下几类:

一、使用寿命测试项目(Life test items)

EFR:早期失效等级测试( Early fail Rate Test )

目的:评估工艺的稳定性,加速缺陷失效率,去除由于天生原因失效的产品

测试条件:在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试

失效机制:材料或工艺的缺陷,包括诸如氧化层缺陷,金属刻镀,离子玷污等由于生产造成的失效

参考标准:

JESD22-A108-A

EIAJED- 4701-D101

HTOL/ LTOL:高/低温操作生命期试验(High/ Low Temperature Operating Life )

目的:评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力

测试条件: 125℃,1.1VCC, 动态测试

失效机制:电子迁移,氧化层破裂,相互扩散,不稳定性,离子玷污等

参考数据:

125℃条件下1000小时测试通过IC可以保证持续使用4年,2000小时测试持续使用8年;150℃ 1000小时测试通过保证使用8年,2000小时保证使用28年

MIT-STD-883E Method 1005.8


二、环境测试项目(Environmental test items)

PRE-CON:预处理测试( Precondition Test )

目的:模拟IC在使用之前在一定湿度,温度条件下存储的耐久力,也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性

THB:加速式温湿度及偏压测试(Temperature Humidity Bias Test )

目的:评估IC产品在高温,高湿,偏压条件下对湿气的抵抗能力,加速其失效进程

测试条件:85℃,85%RH, 1.1 VCC, Static bias

失效机制:电解腐蚀

JESD22-A101-D

EIAJED- 4701-D122

高加速温湿度及偏压测试(HAST: Highly Accelerated Stress Test )

目的:评估IC产品在偏压下高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程

测试条件:130℃, 85%RH, 1.1 VCC, Static bias,2.3 atm

失效机制:电离腐蚀,封装密封性

JESD22-A110

PCT:高压蒸煮试验 Pressure Cook Test (Autoclave Test)

目的: 评估IC产品在高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程

测试条件:130℃, 85%RH, Static bias,15PSIG(2 atm)

失效机制:化学金属腐蚀,封装密封性

JESD22-A102

EIAJED- 4701-B123

*HAST与THB的区别在于温度更高,并且考虑到压力因素,实验时间可以缩短,而PCT则不加偏压,但湿度增大。

TCT:高低温循环试验(Temperature Cycling Test )

目的:评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化

测试条件:

Condition B:-55℃ to 125℃

Condition C: -65℃ to 150℃

失效机制:电介质的断裂,导体和绝缘体的断裂,不同界面的分层

MIT-STD-883E Method 1010.7

JESD22-A104-A

EIAJED- 4701-B-131


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